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元件参数资料
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参数目录36170
> NSS35200CF8T1G TRANSISTOR PNP 2A 35V 8CHIPFET
型号:
NSS35200CF8T1G
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
ON Semiconductor
描述:
TRANSISTOR PNP 2A 35V 8CHIPFET
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路
NSS35200CF8T1G PDF
产品培训模块
Low Vce(sat) BJT Power Savings
产品变化通告
Wire Change for ChipFet Pkg 20/Jul/2010
产品目录绘图
1206A ChipFET Package
标准包装
1
系列
-
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
35V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
300mV @ 20mA,2A
电流 - 集电极截止(最大)
100nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
100 @ 1.5A,2V
功率 - 最大
635mW
频率 - 转换
100MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SMD,扁平引线
供应商设备封装
ChipFET?
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1562 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
NSS35200CF8T1GOSCT
查看NSS35200CF8T1G代理商
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